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康耐視x茉麗特丨應用案例——高低雙倍率晶圓切割道檢測

在半導體制造中,晶圓切割是決定芯片良率的關(guān)鍵一步。面對切割道檢測中的重重挑戰(zhàn),如何實現(xiàn)精準定位與高效檢測?本文將深入解析高低雙倍率視覺系統(tǒng)的創(chuàng)新解決方案,助您攻克技術(shù)難點,切實提升生產(chǎn)效能。

01

什么是劃片?

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Wafer dicing(晶圓切割)是半導體制造流程中的一個關(guān)鍵步驟,指的是將一個完成芯片制造的整片晶圓(wafer)切割成一個個單獨的芯片(die)的過程。這一步通常是在晶圓上的所有電路圖形都制作完成、并且通過了測試之后進行。切割方法以自動化執(zhí)行來保證精度與準確性,切割后的單個裸晶用于后續(xù)工序,最后構(gòu)建在電子設(shè)備中。


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首先,標準半導體制造采用“減薄后切割”方法。晶圓在切割前會被稱為背面研磨(back side grinding)的工藝打薄到幾十μm的厚度,貼在專用的Dicing Tape上并固定在切割環(huán)(Frame)上從而降低了在后續(xù)的過程中的機械應力導致晶圓破裂的風險。在切割后使用自動pick-and-place系統(tǒng)將die拾取封裝,安裝在各種電子設(shè)備中發(fā)揮它的作用。


02

機器視覺任務


為確保切割精度、保護良品率、提升自動化水平;用于避免偏切、誤切、切到有效芯片區(qū)域,在Dicing工藝中機器視覺的關(guān)鍵任務為:


1.自動識別晶圓上切割道或網(wǎng)格線的位置;
2.有時還需根據(jù)Die的標記(如晶圓ID、對準標記、圖案對稱性)確定旋轉(zhuǎn)角度和坐標原點。


而在此過程中,需要獲取清晰明暗對比強烈的工件表面、鐳射痕跡與刀痕圖像。由兩套固定倍率的鏡頭組成的視覺系統(tǒng)進行切換。低倍與高倍系統(tǒng)在工作中“先看全局、再看細節(jié)”,每種倍率在流程中承擔明確分工。

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03

對鏡頭與光源的挑戰(zhàn)


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1.防水切割過程中有高壓去離子水冷卻與微粒飛濺,伴隨霧化液滴極易污染鏡頭與光源,要求從結(jié)構(gòu)上光源與鏡頭具備防護設(shè)計;

2. 結(jié)構(gòu)緊湊刀頭周邊空間緊湊,需在刀頭、吸嘴、吹氣嘴間集成視覺模塊;

3. 鏡頭成像一致性定位精度需達到微米級,倍率切換,單支鏡頭與批量多支鏡頭差異不能影響圖像測量精度;

4. 角度區(qū)照明環(huán)切割道往往反差不明顯,需強化邊緣對比且避免反光干擾。


04

解決方案


使用 REL07519C/REL7519C 鏡頭搭配 RELW40 環(huán)形光源,可在 Dicing 應用中有效應對關(guān)鍵成像挑戰(zhàn),優(yōu)勢如下:

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05

關(guān)鍵參數(shù)


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